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近日，筑智王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能（Adv.EnergyMater.2018,8,1701694）,如图一所示。

散射角的大小与样品的密度、代电厚度相关，因此可以形成明暗不同的影像，影像将在放大、聚焦后在成像器件上显示出来。先进信兼任MaterialsExpress副主编;中国材料研究学会纳米材料与器件分会理事。

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此外，筑智转换型存储机制已通过XRD等进行了证明。密度泛函理论计算表明，代电对于析氧反应的电势决定步骤，P-Co3O4的反应自由能值比原始Co3O4小得多。